GaN Systems 是扎根加拿大渥太华的氮化镓功率半导体专业厂商，专注增强型氮化镓功率晶体管与大功率集成功率模块的研发、生产与方案配套，依托自研 GaNPX 封装工艺与硅基氮化镓外延技术，搭建覆盖消费、工业、储能、车载全功率段器件产品线。企业核心优势集中在大功率氮化镓器件的低导通损耗、高频开关特性与高散热封装方案，同时配套完整评估板、参考设计与驱动开发工具，面向数据中心电源、光伏储能逆变器、车载充电机、大功率工业变流器等场景提供分立器件、半桥 / 全桥功率模块一体化方案，在全球多地设立分销与技术服务网点，兼顾中小功率消费电源与千瓦级以上大功率工业设备的器件定制需求，拥有大量氮化镓相关自主专利，是大功率氮化镓赛道核心供应商之一。
GaN Systems 大功率氮化镓产品整体分为 650V 高压大功率分立晶体管、IMS 绝缘金属基板大功率半桥模块、三相大功率功率单元三大主线，全部采用底部散热 GaNPX 低电感封装结构，器件均为常断增强型设计，栅极耐受宽电压区间且无反向恢复损耗，650V 大功率分立 GS 系列按照导通电阻与额定电流划分梯度，GS66508B 为基础大功率单管，适配数千瓦级单管并联拓扑，GS66516T、GS66524T 逐步提升通流能力，适合图腾柱 PFC、大功率直流变换；IMS3 基板半桥模块整合两颗大功率氮化镓单管，分为三千瓦级与六千瓦级两款标准半桥单元，基板优化导热结构，同等体积下可提升整机输出功率，适配储能变流器、车载大功率 OBC；三相大功率模块集成六管全桥拓扑，额定通流覆盖工业电机驱动、大型光伏逆变器场景，另外还有大电流全桥双模块适配大功率不间断电源，常规三千瓦以内大功率设备选用 GS66508B 分立管搭配简易基板，三千至六千瓦中等大功率整机选用 IMS3 半桥模块，十千瓦以上光伏、储能、工业传动设备选用三相集成大功率氮化镓模块，全部大功率器件可匹配同系列标准化驱动评估板，搭配配套散热基板与门极驱动配件完成整机开发。
加拿大GaN Systems公司主要产品型号如下，欢迎咨询选购：
一、氮化镓分立功率晶体管
650V 高压大功率 GaN HEMT 器件
GS66502B-E01-MR
GS66504B-E01-MR
GS66508B-E01-MR
GS66508T-E02-MR
GS66508P-E04-TY
GS66516B-E01-MR
GS66516T-E01-TY
GS66516T-E02-MR
GS66524T
GS-065-018-2-L-MR
GS66506T-TR
100V 低压大电流 GaN 晶体管
GS61004B
GS61008P-MR
GS61008T-MR
二、IMS 基板集成 GaN 功率模块
IMS2 半桥功率模块
GSP66508HB-EVBIMS2 3kW 半桥模块
GS-EVB-IMS2-065011L-GS 300W 低压半桥模块
IMS3 大功率半桥模块
GS-EVB-IMS3-3K 3 千瓦级半桥功率模块
GS-EVB-IMS3-6K 6 千瓦级半桥功率模块
全桥集成功率模块
GSP665HPMB-EVBIMS2 IMS2 大功率全桥母板模块
GS-EVB-HBDB 双半桥大功率全桥模块
三、GaN 开发评估板与子卡
半桥驱动子卡
GS66502B-EVBDB 半桥驱动子板
GS66516T-EVBDB2 隔离光耦驱动半桥子卡
拓扑专用评估板
GS-EVB-LLC-3KW-GS 3kW LLC 谐振变换器评估板
GS-EVB-PFC 图腾柱 PFC 功率评估板
GS-EVB-DRG-100V7R-GS2 100V 升降压驱动评估板
IMS 配套母板
GS-EVB-IMS2-LPMB IMS2 双半桥通用驱动母板
四、配套结构与连接配件
GUAN14-TB 功率接线端子
GUAN24-TB 功率接线端子
GUAN26-TB 功率接线端子
GUAN47-TB 功率接线端子
GUAN59-TB 功率接线端子
GaNPX 专用导热垫片
低电感功率母线铜排
五、应用参考设计方案
车载 OBC 大功率氮化镓整机参考方案
储能变流器三相 GaN 功率整机方案
高频服务器电源 2kW 参考设计
光伏逆变器大功率功率单元方案
六、技术配套服务
GaN 器件散热仿真优化服务
高频电源 EMI 整改设计
功率拓扑定制化开发
器件选型与产线可靠性验证
其他注意事项：
更详细的技术资料需通过提供项目详情获取，欢迎咨询。
我公司自营进出口权，直接海外采购，国外现货航空件几天就能交到您的手中。
