日本FLOSFIA总部坐落于日本京都，是全球氧化铝型氧化镓（α-Ga₂O₃）宽禁带半导体核心研发与器件试样供应企业，依托自主 Mist Dry® 雾相沉积外延镀膜核心工艺，实现高结晶质量氧化镓外延晶圆量产制备，聚焦氧化镓肖特基二极管、结势垒肖特基器件、常关型 MOS 功率晶体管三大功率器件研发，同时对外供应氧化镓外延片、定制镀膜代工服务。产品凭借极低导通电阻、超快开关速度、超高反向耐压的核心优势，适配车载电源、工业变频器、储能变流器、高压输电变流装置等高压功率场景，同步完成 P 型氧化铱镓半导体技术突破解决氧化镓 MOS 管 P 型层技术瓶颈，可提供器件工程样品、晶圆基材、器件封装定制与工艺开发技术支持，是氧化镓功率半导体产业化赛道核心厂商。

日本FLOSFIA氧化镓功率器件统一使用 GaO® 注册商标划分产品序列，整体分为 GaO® 肖特基势垒二极管 SBD、GaO® JBS 结势垒肖特基二极管、GaO® 纵向沟槽 MOSFET 功率管三大器件品类，同时配套氧化镓外延晶圆基材产品。GaO® SBD 肖特基二极管覆盖 600V、1200V、1700V 三档耐压规格，600V 规格采用 TO220 标准封装，面向工业开关电源、充电桩低压侧整流回路，导通电阻指标远优于同规格碳化硅二极管，反向恢复电荷极低，开关损耗大幅缩减；1200V 中压型号适配车载 OBC 车载充电机、工商业储能 PCS 设备；1700V 高压安培级纵向结构 SBD 面向高压储能、光伏集中式逆变器、电网输变电设备，采用金属基板纵向结构，散热性能优异，器件热阻控制水平出色。GaO® JBS 结势垒肖特基二极管采用自研铱镓氧化物 P 型层构筑 PN 结保护结构，解决普通肖特基二极管反向浪涌耐压薄弱问题，分为 650V 与 1200V 两款工程样品型号，适合车载主逆变器高可靠整流场景。GaO® 沟槽型常关 MOSFET 为全球首款大电流常关型氧化镓功率 MOS 器件，实现零栅压关断特性，最大导通电流突破十安培级别，纵向薄膜转移结构强化散热能力，适配高压功率变换主开关器件。外延晶圆分为 4 英寸氧化铝基 α-Ga₂O₃外延片，分为厚膜高压器件专用外延片、薄膜高频器件外延片两种基材，可面向半导体企业提供流片代工。家用电源整流选用 600V 级 GaO® SBD，车载与储能变流器选用 1200V 规格 SBD，高压电网大功率整流选用 1700V 高压 SBD，高可靠性车载整机选用 JBS 结构二极管，高压功率开关回路选用常关型 GaO® MOSFET，器件研发企业直接采购对应规格氧化镓外延晶圆。

日本FLOSFIA公司主要产品型号如下，欢迎咨询选购：

一、GaO® 氧化镓功率半导体器件

肖特基势垒二极管（SBD）

GaO-SBD-600V TO220 封装低压整流肖特基二极管

GaO-SBD-1200V 车载储能中压肖特基二极管

GaO-SBD-1700V 纵向结构高压大功率肖特基二极管

JBS 结势垒肖特基二极管（高可靠性抗浪涌）

GaO-JBS-650V P 型结保护整流二极管

GaO-JBS-1200V 车载级 JBS 功率二极管

沟槽型常关功率 MOSFET

GaO-MOS-Trench-NormallyOff 纵向常关型氧化镓功率 MOS 管

二、α-Ga₂O₃氧化镓外延晶圆基材

4 英寸厚膜高压器件专用氧化镓外延片

4 英寸薄膜高频器件专用氧化镓外延片

3 英寸氧化铝基氧化镓外延基准晶圆

三、Mist Dry® 雾相沉积镀膜设备与代工产品

Mist Dry® 氧化镓外延镀膜定制代工服务

MISTEPITAXY 氧化物薄膜沉积设备整机

宽禁带氧化物功能薄膜定制试样制备

四、P 型氧化铱镓半导体材料

α-(IrGa)₂O₃ P 型半导体外延片样品

P 型氧化铱镓器件工艺开发基材

五、配套技术服务

氧化镓功率器件应用电路方案设计

器件动态开关特性测试标定服务

氧化镓外延片工艺定制开发服务

高压功率器件封装适配工艺指导

车载级功率器件可靠性验证测试

P 型氧化铱镓功率器件联合开发对接

Mist Dry 镀膜工艺配方联合研发服务

其他注意事项：

更详细的技术资料需通过提供项目详情获取，欢迎咨询。

我公司自营进出口权，直接海外采购，国外现货航空件几天就能交到您的手中。