美国 Everspin总部设立在美国亚利桑那州，是全球较早实现磁阻随机存储器量产商用的专业存储芯片企业，同时拥有独立的磁存储后端工艺产线，主营分立 MRAM 器件，也对外提供嵌入式磁存储技术授权。企业搭建 Toggle MRAM 与自旋转移力矩 STT-MRAM 两大成熟技术路线，产品融合高速读写、近乎无上限擦写耐久与断电永久保存数据的特性，耐受宽泛温度区间，抗辐射性能优异，适配工业自动化、车载电子、网络通信、航空航天等可靠性要求严苛的场景。旗下存储芯片兼容主流并行、串行存储接口，可直接替代闪存、铁电存储器与备用静态随机存储器，拥有丰富标准化封装形态，同时提供工业级、车规级以及宇航筛选版本，持续为各类嵌入式系统提供高可靠非易失存储方案。
美国 Everspin所有 MRAM 产品归属于 PERSYST 产品平台，分为 Toggle MRAM 与新一代 STT-MRAM 两大产品线，Toggle MRAM 包含并行接口与 SPI 串行接口两类器件，串行型号引脚数量精简，封装小巧，能够直接兼容替换串行闪存与电可擦除存储器，并行接口型号读写速率贴近静态随机存储器，适合需要高速随美国 Everspin公司主要产品型号如下，欢迎咨询选购：机存取的工控设备，全系 Toggle 产品拥有长久的数据保存能力，支持宽温工作环境，提供商用工业版本、车载规范版本以及面向太空场景的抗辐照定制型号。新一代 STT-MRAM 主要采用 xSPI 高速串行总线架构，存储密度相比 Toggle 型号得到明显提升，传输带宽进一步优化，划分通用商用版本与高可靠规格，高可靠型号满足车载应用标准，适配长期不间断运行的边缘智能终端。全新 UNISYST 统一存储系列依托 STT 技术打造，兼顾程序固件存储与实时业务数据记录需求，读写性能优于传统 NOR 闪存，适合需要频繁更新配置参数的硬件系统。全系 MRAM 不存在闪存必需的区块擦除等待流程，读写操作可随机即时执行，设计人员能够按照设备使用的接口类型、存储容量需求、工作环境严苛程度挑选对应型号，覆盖小型物联网终端、工业数据记录仪、机载电子载荷、车载控制系统、网络设备配置存储等各类应用场景。
美国 Everspin公司主要产品型号如下，欢迎咨询选购：
一、Toggle MRAM（PERSYST 并行接口）
MR0A08A
MR1A08A
MR2A08A
MR4A08A
MR0A16A
MR1A16A
MR2A16A
MR4A16A
二、Toggle MRAM（PERSYST SPI 串行接口）
MR25H10
MR25H40
MR25H128
MR25H256
三、STT-MRAM EMxxLX xSPI 嵌入式系列
EM008LX
EM016LX
EM032LX
EM064LX
EM128LX
EM256LX
四、STT-DDR 企业级 MRAM
ST-DDR3 256Mb
ST-DDR3 1Gb
五、UNISYST 统一存储 MRAM
UNISYST 128M
UNISYST 256M
UNISYST 512M
UNISYST 1Gb
UNISYST 2Gb
六、硬件评估开发套件
Toggle MRAM 评估板
EMxxLX STT-MRAM 开发套件
UNISYST 参考演示模组
七、配套技术方案
MRAM 器件 SPICE 仿真模型
嵌入式 MRAM IP 授权
宇航级、车规级定制 MRAM 方案
其他注意事项：
更详细的技术资料需通过提供项目详情获取，欢迎咨询。
我公司自营进出口权，直接海外采购，国外现货航空件几天就能交到您的手中。
