德国Fraunhofer IAF是欧洲顶尖的第三代半导体科研机构，深耕三五族化合物半导体、金刚石电子器件领域多年，专注于氮化镓、砷化镓等
高频功率半导体的材料外延、器件工艺与集成电路研发，依托自主可控的完整工艺产线，面向5G与6G通信、雷达探测、卫星通信、电子对
抗、毫米波成像等高端场景开展技术攻关，既提供定制化器件研发服务，也输出标准化射频器件与单片微波集成电路，凭借前沿的工艺水平
、严苛的可靠性测试与深厚的高频半导体技术积淀，成为欧洲氮化镓射频技术领域的核心研发与成果转化平台，为全球军工通信、高端射频
设备厂商提供核心器件与工艺解决方案。
德国Fraunhofer IAF的氮化镓射频器件基于碳化硅衬底的高电子迁移率晶体管工艺打造，核心包含GaN50X、GaN15、GaN10、GaN07四大工艺平台对应
的射频晶体管与MMIC芯片，其中GaN50X工艺对应栅长五百纳米级射频功率晶体管，适配一至十吉赫兹频段，耐压可达百伏级别，功率密度
高、功率附加效率优异，多用于基站功放、脉冲雷达设备；GaN15工艺采用一百五十纳米栅长设计，覆盖至七十五吉赫兹毫米波频段，耐压
稳定，噪声系数表现出色，适配高频通信与短距毫米波探测；GaN10工艺为一百纳米栅长，可工作至百吉赫兹以上，兼顾高频特性与输出功
率，多用于6G毫米波通信、卫星链路器件；GaN07工艺为七十纳米超细栅长，支持最高一百七十吉赫兹的超高频工作，主要面向下一代太赫
兹通信、高端毫米波雷达等前沿场景，同时还有七吉赫兹百瓦级内部匹配射频功率晶体管、D波段毫米波氮化镓单片微波集成电路等专用型
号，全系器件均支持晶圆流片定制，可根据客户需求调整功率、频段、封装形式，适配从低频微波到超高频毫米波的各类射频应用场景。
德国Fraunhofer IAF公司主要产品型号如下，欢迎咨询选购：
一、氮化镓射频及功率器件类
1. GaN07工艺70nm氮化镓HEMT晶体管
2. GaN10工艺100nm氮化镓HEMT晶体管
3. GaN15工艺150nm氮化镓HEMT晶体管
4. GaN50X工艺500nm氮化镓HEMT晶体管
5. 7GHz百瓦级内部匹配射频功率晶体管
6. Ka波段氮化镓固态功率放大器
7. D波段氮化镓毫米波MMIC芯片
8. G100V6高压氮化镓功率晶体管
9. G600V15高压氮化镓功率晶体管
10. GaN‑PM‑600V‑50A氮化镓功率模块
二、砷化镓/磷化铟高频器件类
1. 变质HEMT低噪声放大器芯片
2. InP基毫米波单片微波集成电路
3. 243GHz超高频放大器件
4. 600GHz太赫兹收发芯片
三、量子级联激光器类
1. CW‑QCL‑2.5THz连续波太赫兹量子级联激光器
2. CW‑QCL‑3.5THz高分辨率光谱用QCL芯片
3. 中红外宽调谐量子级联激光器模块
4. 脉冲式太赫兹量子级联激光器
四、光电探测器件类
1. InGaAs红外光电探测器
2. 锑化物二类超晶格红外焦平面探测器
3. 紫外雪崩光电二极管
4. 太赫兹高速光电探测器
五、毫米波雷达与通信模块类
1. W波段85‑100GHz毫米波雷达传感器模块
2. D波段130‑160GHz 6G通信前端模块
3. 卫星通信Ka/Q波段功放模块
4. 宽带射频收发前端组件
其他注意事项：
更详细的技术资料需通过提供项目详情获取，欢迎咨询。
我公司自营进出口权，直接海外采购，国外现货航空件几天就能交到您的手中。
