Fraunhofer IAF（弗劳恩霍夫应用固体物理研究所）是德国弗劳恩霍夫协会（Fraunhofer-Gesellschaft）旗下专注于化合物半导体材料和器件的研究机构，成立于1957年，总部位于弗赖堡（Freiburg）。

IAF的核心研究方向包括：

氮化镓（GaN）：高频电子器件、功率电子。

砷化镓（GaAs）和磷化铟（InP）：太赫兹（THz）器件、光电探测器、激光二极管。

碳化硅（SiC）：高温和高功率应用。

量子级联激光器（QCL）：中红外到太赫兹波段的半导体激光器，用于光谱学、安全检测和医疗成像。

IAF在太赫兹技术领域处于国际领先地位，其QCL芯片和成像系统广泛应用于工业无损检测、医学成像和安全扫描等领域。

太赫兹QCL产品主要包括以下型号：

1. 连续波（CW）太赫兹QCL芯片

频率范围：1.5 THz – 5.2 THz

典型型号：

CW-QCL-2.5THz：中心频率2.5 THz，输出功率>1 mW（低温工作）。

CW-QCL-3.5THz：适用于高分辨率光谱学。

2. 脉冲式太赫兹QCL芯片

频率范围：1 THz – 5 THz

型号：

Pulsed-QCL-1.8THz：峰值功率>10 mW，用于快速成像。

Pulsed-QCL-4.7THz：高频率版本，适用于材料分析。

3. 高功率太赫兹QCL模块

集成化系统：包含热电冷却器（TEC）和光学准直元件。

型号：

THz-QCL-Module-2.0：2.0 THz中心频率，便携式设计。

THz-QCL-Module-3.8：3.8 THz，适用于实验室级成像。

4. 定制化QCL解决方案

可根据需求定制频率（1–5 THz）、功率和封装形式。

如需更详细的参数（如波长、功率曲线、封装尺寸），欢迎咨询。

Fraunhofer IAF 公司的其他产品，如 氮化镓（GaN）功率电子、射频器件、光电探测器、量子级联激光器（QCL）简单介绍如下，若您有任何需求，欢迎咨询。我公司自营进出口权，直接海外采购，国外现货航空件几天就交到您的手中。

1. 氮化镓（GaN）功率电子器件

1.1 高压GaN HEMT（高电子迁移率晶体管）

型号范围：600V – 1200V

典型型号：

G100V6（100V, 6A）

G600V15（600V, 15A）

G1200V10（1200V, 10A）

应用：高效电源转换、电动汽车、可再生能源逆变器。

1.2 GaN功率模块

型号示例：

GaN-PM-600V-50A（半桥模块，600V/50A）

GaN-PM-1200V-30A（全桥模块，1200V/30A）

2. 射频（RF）和毫米波器件

2.1 GaN RF功率放大器（PA）

频率范围：DC – 40 GHz

典型型号：

PA-6-18GHz-50W（6–18 GHz, 50W）

PA-28-40GHz-10W（28–40 GHz, 10W）

应用：雷达、卫星通信、5G基站。

2.2 毫米波单片集成电路（MMIC）

型号示例：

MMIC-20-30GHz-LNA（低噪声放大器，20–30 GHz）

MMIC-75-110GHz-Mixer（混频器，75–110 GHz）

3. 光电和量子器件

3.1 量子级联激光器（QCL）（太赫兹 & 中红外）

3.1.1 太赫兹QCL（THz-QCL）

CW（连续波）型号：

CW-QCL-2.5THz（2.5 THz, >1 mW）

CW-QCL-3.5THz（3.5 THz, 低温工作）

脉冲型号：

Pulsed-QCL-1.8THz（1.8 THz, >10 mW）

Pulsed-QCL-4.7THz（4.7 THz, 材料分析）

集成模块：

THz-QCL-Module-2.0（2.0 THz, TEC冷却）

THz-QCL-Module-3.8（3.8 THz, 实验室级）

3.1.2 中红外QCL（Mid-IR QCL）

波长范围：4 μm – 12 μm

典型型号：

QCL-4.6μm（4.6 μm, 用于气体传感）

QCL-9.2μm（9.2 μm, 医疗诊断）

3.2 红外光电探测器（InGaAs/InSb）

型号示例：

PD-InGaAs-1.7μm（1.7 μm, 高速探测）

PD-InSb-5μm（5 μm, 低温工作）

4. 碳化硅（SiC）功率器件

4.1 SiC二极管（肖特基势垒二极管，SBD）

电压范围：600V – 1700V

典型型号：

SiC-SBD-600V-10A

SiC-SBD-1700V-25A

4.2 SiC MOSFET

型号示例：

SiC-MOSFET-1200V-30A

SiC-MOSFET-1700V-20A

5. 定制化解决方案

Fraunhofer IAF 提供 定制设计服务，可根据需求开发：

特定频率/功率的QCL（1–12 μm 或 1–5 THz）

高频GaN/SiC功率模块（最高1200V/100A）

光电集成系统（如太赫兹成像仪、激光雷达LiDAR）

部分典型产品

您有任何需求，欢迎咨询。

我公司自营进出口权，直接海外采购，国外现货航空件几天就能交到您的手中。